硅基光電探測器及其制作方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | 2017103387927 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN108878544B | 公開（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申請公布號 | CN108878544B | 申請公布日 | 2018-11-23 |
| 分類號 | H01L31/0224(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 盛振;武愛民;仇超;趙瑛璇;高騰;甘甫烷;王曦 | 申請（專利權(quán)）人 | 上海新微科技服務(wù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 羅泳文 |
| 地址 | 201800上海市嘉定區(qū)菊園新區(qū)環(huán)城路2222號1幢1048室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種硅基光電探測器及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一襯底，于所述襯底表面制作出叉指型金屬電極；2）于所述叉指型金屬電極之上覆蓋多晶硅層，并使得所述多晶硅層與所述叉指型金屬電極形成肖特基接觸；3）刻蝕所述多晶硅層，以形成露出叉指型金屬電極的接觸點(diǎn)的接觸窗；4）基于所述接觸窗制作接觸點(diǎn)引出的金屬焊盤。本發(fā)明采用多晶硅作為光敏層，而多晶硅置于叉指型金屬電極之上，不會(huì)受限于金屬電極對入射光的遮擋，從而顯著提高了光電探測的量子效率。本發(fā)明制作工藝無需摻雜，大大簡化了生產(chǎn)工藝及制造成本。本發(fā)明采用單面制作工藝，所制作的硅基光電探測器為平面型器件，具有電容小，響應(yīng)速度快的優(yōu)點(diǎn)。?? |
