一種硅基鍺錫高電子遷移率晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821596246.X 申請日 -
公開（公告）號 CN208923144U 公開（公告）日 2019-05-31
申請公布號 CN208923144U 申請公布日 2019-05-31
分類號 H01L29/161（2006.01）I; H01L29/778（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪巍; 方青; 涂芝娟; 曾友宏; 蔡艷; 王慶; 王書曉; 余明斌 申請（專利權(quán)）人 上海新微科技服務(wù)有限公司
代理機構(gòu) 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉元霞
地址 201800 上海市嘉定區(qū)城北路235號2號樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N硅基鍺錫高電子遷移率晶體管，該硅基鍺錫高電子遷移率晶體管包括：硅基襯底；位于所述硅基襯底上的緩沖層；位于所述緩沖層上的溝道層，所述溝道層為鍺錫(GeSn)材料；以及位于所述溝道層上的間隔層，勢壘層和蓋層，所述間隔層，勢壘層和蓋層為III?V族半導(dǎo)體材料，其中，所述間隔層與溝道層的界面形成二維電子氣，所述緩沖層厚度大于500nm。根據(jù)本實施例,能夠提高晶體管的高速性能，并且，GeSn容易與Si基集成電路制造技術(shù)集成。