一種大帶寬硅基光調(diào)制器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201611103311.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108153001B | 公開（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108153001B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-27 |
| 分類號(hào) | G02F1/05 | 分類 | 光學(xué); |
| 發(fā)明人 | 武愛(ài)民;何兵;仇超;盛振;高騰;甘甫烷;王曦 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海新微科技服務(wù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 羅泳文 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定區(qū)菊?qǐng)@新區(qū)環(huán)城路2222號(hào)1幢1048室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種大帶寬硅基光調(diào)制器，包括：基底及其上的絕緣層；n型摻雜硅層，位于所述絕緣層之上；p型摻雜硅層，位于所述n型摻雜硅層之上；鐵電薄膜，位于所述p型摻雜硅層之上；其中，所述n型摻雜硅層接地，所述p型摻雜硅層接控制信號(hào)，所述鐵電薄膜接控制信號(hào)。本發(fā)明有效的將鐵電薄膜與普通的硅基光調(diào)制器集成在一起，利用鐵電薄膜極化時(shí)的場(chǎng)強(qiáng)，大幅度提升了光調(diào)制器中載流子濃度的變化范圍及靈敏度，從而提升了光調(diào)制器的調(diào)制帶寬。本發(fā)明可直接用于硅基光調(diào)制器，也可以用于馬赫?曾德?tīng)栃凸庹{(diào)制器的兩臂，后者可以進(jìn)一步增大調(diào)制器的調(diào)制寬度。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，控制方便，工藝與CMOS兼容，很適合工業(yè)推廣。 |
