一種鋁、磷共摻雜硅納米晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611100728.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN108155562B 公開（公告）日 2019-12-10
申請公布號(hào) CN108155562B 申請公布日 2019-12-10
分類號(hào) H01S5/30 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 武愛民;何兵;仇超;盛振;高騰;甘甫烷;王曦 申請（專利權(quán)）人 上海新微科技服務(wù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201800 上海市嘉定區(qū)菊園新區(qū)環(huán)城路2222號(hào)1幢1048室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種鋁、磷共摻雜硅納米晶的制備方法，包括步驟：步驟1），提供一基底，采用低壓化學(xué)氣相沉積法于基底上沉積出鋁和磷摻雜的二氧化硅薄膜；步驟2），采用分相熱處理工藝使所述二氧化硅薄膜中分相析出鋁和磷摻雜的硅納米晶，所述硅納米晶鑲嵌于二氧化硅薄膜中；步驟3），對所述二氧化硅薄膜及硅納米晶進(jìn)行氫氣鈍化處理，以去除二氧化硅薄膜及硅納米晶中的缺陷和懸掛鍵。本發(fā)明分別采用鋁和磷進(jìn)行P型和N型摻雜，擴(kuò)大了硅納米晶發(fā)光的光譜范圍，降低了由于俄歇效應(yīng)產(chǎn)生的光子吸收，提高了硅納米晶發(fā)光效率，同時(shí)，本發(fā)明所制得的硅納米晶雜質(zhì)摻雜量可調(diào)，結(jié)晶質(zhì)量好，是一種理想的硅基片上光源。