硅基光波導結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710338188.4 申請日 -
公開（公告）號 CN108873167A 公開（公告）日 2018-11-23
申請公布號 CN108873167A 申請公布日 2018-11-23
分類號 G02B6/136 分類 光學;
發(fā)明人 盛振;武愛民;仇超;趙瑛璇;高騰;甘甫烷;王曦 申請（專利權(quán)）人 上海新微科技服務(wù)有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201800 上海市嘉定區(qū)菊園新區(qū)環(huán)城路2222號1幢1048室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種硅基光波導結(jié)構(gòu)及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一SOI襯底，所述SOI襯底包括硅襯底、埋氧層以及頂層硅；2）刻蝕所述頂層硅以形成帶狀硅層；3）采用氧化工藝對所述帶狀硅層進行氧化，以形成二氧化硅層包覆的亞微米量級的硅波導芯層；所述硅波導芯層的折射率高于周圍的二氧化硅層，使得光信號限制于硅波導芯層中傳輸，形成硅基光波導結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過高溫氧化的方式來減小硅波導芯層的線寬，達到亞微米尺度，從而避免使用昂貴的高精度步進式光刻設(shè)備；同時，采用的氧化工藝有助于減小硅波導側(cè)壁的粗糙度，從而降低傳輸損耗。