相移器及硅基電光調(diào)制器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821583248.5 申請日 -
公開（公告）號 CN208805639U 公開（公告）日 2019-04-30
申請公布號 CN208805639U 申請公布日 2019-04-30
分類號 G02F1/015（2006.01）I; G02F1/05（2006.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 涂芝娟; 汪巍; 方青; 余明斌 申請（專利權(quán)）人 上海新微科技服務有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 余明偉
地址 201800 上海市嘉定區(qū)菊園新區(qū)環(huán)城路2222號1幢1048室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供一種相移器及硅基電光調(diào)制器，相移器包括：第一摻雜類型半導體層；第二摻雜類型半導體層，與第一摻雜類型半導體層間隔排布；第一介質(zhì)層，位于第一摻雜類型半導體與第二摻雜類型半導體層之間；第二介質(zhì)層，位于第一介質(zhì)層與第二摻雜類型半導體層之間；插入材料層，位于第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層之間，插入材料層在外部驅(qū)動電壓的作用下產(chǎn)生負電容效應,插入材料層包括鐵電材料層。本實用新型的相移器通過增設(shè)在外部驅(qū)動電壓的作用下可以產(chǎn)生負電容效應的插入材料層，負電容效應可使得相移器內(nèi)部電壓得到放大，可以減小硅基電光調(diào)制器正常工作所需的外部驅(qū)動電壓，大大提高硅基電光調(diào)制器的調(diào)制效率，降低硅基電光調(diào)制器的功耗。