光電二極管以及高速光耦

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201922461296.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN210956701U 公開（公告）日 2020-07-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN210956701U 申請(qǐng)公布日 2020-07-07
分類號(hào) H01L31/102;H01L31/0352;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王進(jìn);丁東民;周盛;張武安 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 華潤(rùn)半導(dǎo)體（深圳）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京正理專利代理有限公司 代理人 張雪梅
地址 214135 江蘇省無錫市新吳區(qū)無錫太湖國(guó)際科技園菱湖大道180號(hào)-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種光電二極管，包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；從襯底的表面延伸進(jìn)入襯底中的第二導(dǎo)電類型的埋層；形成在埋層上的第二導(dǎo)電類型的外延層；從外延層遠(yuǎn)離襯底的表面延伸進(jìn)入外延層中的第一導(dǎo)電類型的受光區(qū)；還包括：圍繞受光區(qū)的第一導(dǎo)電類型的第一隔離環(huán)，其中，第一隔離環(huán)從外延層遠(yuǎn)離襯底的表面延伸進(jìn)入外延層，以及圍繞第一隔離環(huán)的第二導(dǎo)電類型的第二隔離環(huán)，其中，第二隔離環(huán)從外延層遠(yuǎn)離襯底的表面延伸進(jìn)入外延層，其中，第一隔離環(huán)和所述第二隔離環(huán)的延伸深度大于受光區(qū)的延伸深度。本實(shí)用新型的第二方面提供了一種光電二極管的制作方法。本實(shí)用新型的第三方面提供了一種高速光耦。