一種高溫高可靠厚膜Al焊盤的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010772690.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111863629B 公開（公告）日 2021-07-30
申請公布號 CN111863629B 申請公布日 2021-07-30
分類號 H01L21/48（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉欣;錢滿滿;劉軍;王鵬;胡宗亮;孫玉達;崔久鵬;丁長春;趙秋山 申請（專利權）人 青島智騰科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 266000山東省青島市高新區(qū)名園路11號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開一種高溫高可靠厚膜Al焊盤的制備方法，屬于航天微電子封裝技術領域，通過在厚膜金導帶上原位生成Al焊盤，實現(xiàn)了Al?Al的鍵合方式，將其應用在200～250℃的高溫電路產品上也具有長期的可靠性；通過選擇性的在金導帶上印刷燒結一層5～8um厚的Ni過渡層，以及濺射形成的鈦鎢復合層相互配合起到阻擋層的作用，實現(xiàn)隔絕金和鋁之間的互擴散；然后在TiW層的表面用磁控濺射的方式沉積一層3～5um的Al金屬層，為厚膜電路的內引線互連提供Al?Al的鍵合體系，可以消除Au?Al鍵合產生的金屬間化合物和柯肯達爾效應帶來的不利影響，在200～250℃的高溫環(huán)境下長期工作，依然可以提供有效地引線鍵合強度和導通電阻，實現(xiàn)了高溫高可靠的產品應用。