一種IGBT模塊功率端子結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022958518.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN213660384U 公開(kāi)（公告）日 2021-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN213660384U 申請(qǐng)公布日 2021-07-09
分類號(hào) H01L23/055（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫世達(dá);高遠(yuǎn);曹新明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽瑞迪微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 朱順利
地址 241002安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)科技產(chǎn)業(yè)園1號(hào)樓2層209
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種IGBT模塊功率端子結(jié)構(gòu)，包括N端子、層疊在N端子上的絕緣材料層和層疊在絕緣材料層上的P端子，N端子和P端子與母排電容為一體折彎成型。本實(shí)用新型的IGBT模塊功率端子結(jié)構(gòu)，將端子與母排結(jié)合為一個(gè)整體，并且均采取疊層結(jié)構(gòu)，最大程度的降低了雜散電感。