IGBT模塊功率端子結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022958510.3 申請日 -
公開（公告）號 CN213660391U 公開（公告）日 2021-07-09
申請公布號 CN213660391U 申請公布日 2021-07-09
分類號 H01L23/48（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 溫世達;高遠;曹新明 申請（專利權）人 安徽瑞迪微電子有限公司
代理機構(gòu) 蕪湖安匯知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 朱順利
地址 241002安徽省蕪湖市弋江區(qū)高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科技產(chǎn)業(yè)園1號樓2層209
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種IGBT模塊功率端子結(jié)構(gòu)，包括N端子導電金屬、P端子導電金屬、包裹N端子導電金屬的第一絕緣材料層和包裹P端子導電金屬且與第一絕緣材料層相接觸的第二絕緣材料層，N端子導電金屬具有與母排接觸的第一接觸面，P端子導電金屬具有與母排接觸的第二接觸面，第一接觸面從第一絕緣材料層中露出，第二接觸面從第二絕緣材料層中露出。本實用新型的IGBT模塊功率端子結(jié)構(gòu)，極大降低了端子與母排連接結(jié)構(gòu)處的回路面積，因此也降低了回路的雜散電感。