一種GTR-KTP晶體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310389390.1 申請日 -
公開（公告）號 CN103451731B 公開（公告）日 2015-09-09
申請公布號 CN103451731B 申請公布日 2015-09-09
分類號 C30B29/22(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 喬永軍;馮彧;翟仲軍;李杰;逄洪雷;李勇;董勝明 申請（專利權(quán)）人 山東華特知新材料有限公司
代理機構(gòu) 濟南圣達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 山東華特知新材料有限公司
地址 250101 山東省濟南市高新區(qū)穎秀路608號山大科技園6號樓三層北區(qū)3號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種GTR-KTP晶體的制備方法，先制備KH2PO4晶體料，然后在超環(huán)境下分段加熱形成均勻穩(wěn)定的高溫溶液，采用頂端與提拉相結(jié)合的方法生長的GTR-KTP晶體，本發(fā)明制備的KTP晶體，降低了KTP晶體的吸收系數(shù)，能有效的抵抗灰跡產(chǎn)生，使KTP晶體的倍頻轉(zhuǎn)換效率得到顯著增強。在測試的1000秒時間內(nèi)，是用100mw、532nm綠光照射GTR-KTP晶體，系統(tǒng)吸收基本保持穩(wěn)定，顯示了其良好的抗灰跡效果。