一種能有效抗灰跡的KTP晶體的制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201010171911.2 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN102242389A | 公開（公告）日 | 2011-11-16 |
| 申請公布號 | CN102242389A | 申請公布日 | 2011-11-16 |
| 分類號 | C30B9/08(2006.01)I;C30B29/14(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 董勝明;馮彧;翟仲軍;嚴振華;李杰;劉萌 | 申請（專利權(quán)）人 | 山東華特知新材料有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 250101 山東省濟南市高新區(qū)穎秀路608號山大科技園 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種能有效抗灰跡的KTP晶體的制備方法，步驟如下1)采用頂端籽晶+提拉的方法，緩慢降溫，稍高一點提速；2)提高熔質(zhì)濃度，提高其實生長溫度；3)溶劑組成提高；4)用[100]方向籽晶，單生長區(qū)；5)添加PbO，起始生長溫度～1007℃，降溫78℃，0.5～3℃/天，45天，拉速0.1～0.9mm/天，正反轉(zhuǎn)動60～20rpm。本發(fā)明采用采用頂端籽晶+提拉的方法來制備KTP晶體，降低了KTP晶體的吸收系數(shù)，能有效的抵抗灰跡產(chǎn)生，使KTP晶體的倍頻轉(zhuǎn)換效率得到增強。 |
