一種GTR-KTP晶體的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310389390.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103451731A 公開（公告）日 2013-12-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN103451731A 申請(qǐng)公布日 2013-12-18
分類號(hào) C30B29/22(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 喬永軍;馮彧;翟仲軍;李杰;逄洪雷;李勇;董勝明 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 山東華特知新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 崔苗苗
地址 250101 山東省濟(jì)南市高新區(qū)穎秀路608號(hào)山大科技園6號(hào)樓三層北區(qū)3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種GTR-KTP晶體的制備方法，先制備KH2PO4晶體料，然后在超環(huán)境下分段加熱形成均勻穩(wěn)定的高溫溶液，采用頂端與提拉相結(jié)合的方法生長(zhǎng)的GTR-KTP晶體，本發(fā)明制備的KTP晶體，降低了KTP晶體的吸收系數(shù)，能有效的抵抗灰跡產(chǎn)生，使KTP晶體的倍頻轉(zhuǎn)換效率得到顯著增強(qiáng)。在測(cè)試的1000秒時(shí)間內(nèi)，是用100mw、532nm綠光照射GTR-KTP晶體，系統(tǒng)吸收基本保持穩(wěn)定，顯示了其良好的抗灰跡效果。