一種半導(dǎo)體激光器芯片腔面的鍍膜方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110845340.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113699488A 公開（公告）日 2021-11-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN113699488A 申請(qǐng)公布日 2021-11-26
分類號(hào) C23C14/24（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C8/12（2006.01）I;C23C14/58（2006.01）I;H01S5/028（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 趙軍;游順青;陳鋒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖北光安倫芯片有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳靜
地址 436000湖北省鄂州市葛店開發(fā)區(qū)高新三路光谷聯(lián)合科技城第C9幢5單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體激光器端面鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體激光器芯片腔面的鍍膜方法，包括如下步驟：1）對(duì)待鍍膜的芯片進(jìn)行Bar條解理，夾條，并快速放進(jìn)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備內(nèi)，抽真空；2）對(duì)芯片的出光腔面進(jìn)行離子源預(yù)清洗處理；3）在芯片的出光腔面上鍍高增透膜系，高增透膜系至少包括第一Al層和第一AlOX層；具體是先鍍Al層，然后利用離子源通入O2進(jìn)行氧化處理；4）對(duì)芯片的背光腔面進(jìn)行離子源預(yù)清洗處理；5）在芯片的背光腔面上鍍高反膜系，反膜系至少包括第二Al層和第二AlOX層；先鍍Al層，然后利用離子源通入O2進(jìn)行氧化處理。本發(fā)明在芯片前后腔面鍍Al層并進(jìn)行部分氧化，達(dá)到保護(hù)激光半導(dǎo)體腔面的效果，進(jìn)而避免腔面因氧化造成的可靠性問題。