一種基于選區(qū)外延技術(shù)的雙波長(zhǎng)VCSEL結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110826665.8 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113708214A 公開(kāi)（公告）日 2021-11-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN113708214A 申請(qǐng)公布日 2021-11-26
分類號(hào) H01S5/10（2021.01）I;H01S5/183（2006.01）I;H01S5/34（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程成 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖北光安倫芯片有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 代嬋
地址 436000湖北省鄂州市葛店開(kāi)發(fā)區(qū)高新三路光谷聯(lián)合科技城第C9幢5單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于選區(qū)外延技術(shù)的雙波長(zhǎng)VCSEL結(jié)構(gòu)及其制備方法，該雙波長(zhǎng)VCSEL結(jié)構(gòu)通過(guò)在GaAs襯底上依次生長(zhǎng)GaAs緩沖層、N型布拉格反射鏡層作為初始外延片；在所述初始外延片上采用選區(qū)外延技術(shù)依次外延量子阱、過(guò)渡P型布拉格反射鏡層、P型GaAs光柵制備層，選區(qū)外延技術(shù)改變量子阱材料帶隙波長(zhǎng)，實(shí)現(xiàn)VCSEL雙波長(zhǎng)激射，針對(duì)不同帶隙波長(zhǎng)區(qū)域制備臺(tái)面，臺(tái)面制備完成后進(jìn)行氧化工藝；并利用電子束曝光技術(shù)，分別針對(duì)兩種不同帶隙波長(zhǎng)量子阱在P型GaAs光柵制備層上制備高對(duì)比度光柵（HCG），形成高反射率反射鏡代替?zhèn)鹘y(tǒng)的P型DBR結(jié)構(gòu)，不但避免了選區(qū)外延多層DBR結(jié)構(gòu)，降低了外延難度，而且可以針對(duì)不同激射波長(zhǎng)靈活設(shè)計(jì)反射率，提高了工藝靈活性及可行性。