非氧化工藝微米柱陣列大功率VCSEL結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110871419.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113839304A 公開（公告）日 2021-12-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113839304A 申請(qǐng)公布日 2021-12-24
分類號(hào) H01S5/183（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I;B81B1/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 程成 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 湖北光安倫芯片有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐俊偉
地址 436000湖北省鄂州市葛店開發(fā)區(qū)高新三路光谷聯(lián)合科技城第C9幢5單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種非氧化工藝微米柱陣列大功率VCSEL結(jié)構(gòu)的制備方法，包括如下步驟：S1，制作外延片；S2，在所述外延片上制備SiO2掩膜，并對(duì)其進(jìn)行刻蝕得到具有若干微米柱的基材；S3，于所述基材的表面繼續(xù)生長(zhǎng)SiO2掩膜，作為微米柱的基材的鈍化保護(hù)層；S4，在具有鈍化保護(hù)層的所述基材上旋涂BCB，并進(jìn)行BCB光刻、顯影以及固化，使所述BCB作為所述基材的相鄰的所述微米柱之間的間隙中的填充材料；S5，接著制備電極，以完成VCSEL結(jié)構(gòu)的制備。還提供一種非氧化工藝微米柱陣列大功率VCSEL結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的微米級(jí)VCSEL尺度電流限制能力強(qiáng)，使VCSEL閾值極低并提高了光電轉(zhuǎn)換效率；不含氧化層的非氧化工藝，有效降低了VCSEL熱阻，提高了輸出功率。