一種激光器及其鍍膜方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110976322.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113981380A 公開（公告）日 2022-01-28
申請公布號 CN113981380A 申請公布日 2022-01-28
分類號 C23C14/30（2006.01）I;C23C14/10（2006.01）I;C23C14/06（2006.01）I;C23C14/02（2006.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;H01S5/028（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 游順青;趙軍;許海明 申請（專利權(quán)）人 湖北光安倫芯片有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京匯澤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 代嬋
地址 436000湖北省鄂州市葛店開發(fā)區(qū)高新三路光谷聯(lián)合科技城第C9幢5單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種激光器及其鍍膜方法，該激光器包括激光器芯片本體，激光器芯片本體的出光面依次鍍有第一SiO2膜層、周期膜、第二SiO2膜層，形成多層高透過膜系，周期膜以相互層疊的SiNx膜層和高折射率SiyO1?y（0.52是為了中和膜系的整體內(nèi)應(yīng)力，SiO2主要以壓應(yīng)力為主，而SiNx和SiyO1?y膜層以張應(yīng)力，搭配使用膜系整體內(nèi)應(yīng)力最小，較少膜層鼓包和脫膜風(fēng)險。本發(fā)明激光器芯片可以在非氣密性環(huán)境使用，且性能穩(wěn)定，可靠性高，使用壽命長。