一種高速DFB芯片中含鋁材料的高溫ICP刻蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910973107.7 申請日 -
公開（公告）號 CN110808533B 公開（公告）日 2022-01-21
申請公布號 CN110808533B 申請公布日 2022-01-21
分類號 H01S5/12（2021.01）I;H01S5/22（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李紫謙;張恩;趙亮;葛婷 申請（專利權）人 湖北光安倫芯片有限公司
代理機構 北京匯澤知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 代嬋
地址 436000 湖北省鄂州市葛店開發(fā)區(qū)高新三路光谷聯(lián)合科技城第C9棟5單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種高速DFB芯片中含鋁材料的高溫ICP刻蝕方法，其包括以下步驟：（1）對已含有光柵圖形并且經(jīng)過金屬有機化學氣相外延掩埋生長的片源進行表面清洗；（2）將經(jīng)過表面清洗后的片源放入PECVD中生長掩膜層；（3）對有掩膜層的片源在光刻間勻膠后進行脊圖形光刻；（4）利用反應離子刻蝕設備（RIE）將經(jīng)過曝光、顯影后的光刻膠圖形轉移到掩膜層上；（5）去除RIE刻蝕后片源表面的光刻膠；（6）將含有掩膜層圖形的片源放入已升溫至預定溫度的ICP刻蝕機臺中干法刻蝕。本發(fā)明提供的高溫ICP刻蝕含鋁材料的方法，刻蝕后表面聚合物少，且刻蝕形貌光滑無凸起，解決了含鋁材料在刻蝕過程中，刻蝕速率慢，刻蝕形貌難以控制的問題，從而確保BH結構高速激光器芯片的PN掩埋工藝正常。