一種半導(dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121813063.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN215342593U 公開(kāi)（公告）日 2021-12-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN215342593U 申請(qǐng)公布日 2021-12-28
分類(lèi)號(hào) H01L25/18（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱明;張超;王志杰;胡潘婷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 捷捷半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 榮穎佳
地址 226000江蘇省南通市崇川區(qū)蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)井岡山路6號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體器件包括單向TSS芯片與TVS芯片組，單向TSS芯片與TVS芯片組反向串聯(lián)，TVS芯片組包括至少一個(gè)單向TVS芯片，且當(dāng)單向TVS芯片的數(shù)量大于一個(gè)時(shí)，單向TVS芯片間串聯(lián)；其中，至少一個(gè)單向TVS芯片中至少包括低殘壓芯片，低殘壓芯片的電壓大于預(yù)設(shè)值且低殘壓芯片包括單向TVS結(jié)構(gòu)與三極管，單向TVS結(jié)構(gòu)與三極管并聯(lián)。本申請(qǐng)?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低且器件殘壓低的優(yōu)點(diǎn)。