一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110971948.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113421862B 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN113421862B 申請公布日 2021-11-02
分類號 H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王成森;吳家健;孫健鋒;錢嘉麗 申請（專利權(quán)）人 捷捷半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 榮穎佳
地址 226000江蘇省南通市崇川區(qū)蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)井岡山路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，涉及芯片塑封技術(shù)領(lǐng)域。該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括塑封體、至少兩個半導(dǎo)體芯片、至少一個中間電極片、第一外側(cè)電極片以及第二外側(cè)電極片，相鄰兩個半導(dǎo)體芯片之間至少包括一個中間電極片，第一外側(cè)電極片與第二外側(cè)電極片分別位于至少兩個半導(dǎo)體芯片的最外側(cè)，塑封體套設(shè)于至少兩個半導(dǎo)體芯片、至少一個中間電極片、第一外側(cè)電極片以及第二外側(cè)電極片外；其中，中間電極片的第一散熱面穿過塑封體并裸露于塑封體的外側(cè)。本申請?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法具有體積小，散熱能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。