一種芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110971948.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113421862B | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-11-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113421862B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-11-02 |
分類號(hào) | H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 王成森;吳家健;孫健鋒;錢嘉麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 捷捷半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 榮穎佳 |
地址 | 226000江蘇省南通市崇川區(qū)蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)井岡山路6號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法,涉及芯片塑封技術(shù)領(lǐng)域。該芯片封裝結(jié)構(gòu)包括塑封體、至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片、至少一個(gè)中間電極片、第一外側(cè)電極片以及第二外側(cè)電極片,相鄰兩個(gè)半導(dǎo)體芯片之間至少包括一個(gè)中間電極片,第一外側(cè)電極片與第二外側(cè)電極片分別位于至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片的最外側(cè),塑封體套設(shè)于至少兩個(gè)半導(dǎo)體芯片、至少一個(gè)中間電極片、第一外側(cè)電極片以及第二外側(cè)電極片外;其中,中間電極片的第一散熱面穿過(guò)塑封體并裸露于塑封體的外側(cè)。本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法具有體積小,散熱能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。 |
