一種氧化退火方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110689226.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113421820A 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN113421820A 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱澤中;張超;王成森 申請（專利權(quán)）人 捷捷半導體有限公司
代理機構(gòu) 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 榮穎佳
地址 226000江蘇省南通市崇川區(qū)蘇通科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)井岡山路6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┝艘环N氧化退火方法，涉及半導體退火工藝技術(shù)領域。首先將待處理晶片在低溫下置于反應爐內(nèi)；然后通入氧氣，將反應爐內(nèi)的溫度升高至閾值溫度并維持第一預設時間；最后將反應爐內(nèi)的溫度按小于或等于1℃/min的速率進行降溫，直至反應爐內(nèi)的溫度恢復至低溫，以在氧化退火過程中使待處理晶片的內(nèi)部缺陷析出至表面。本申請?zhí)峁┑难趸嘶鸱椒ň哂心軌蛐迯途A內(nèi)的晶格缺陷，提升晶片應力的優(yōu)點。