一種內(nèi)嵌反射層的高功率容量體聲波諧振器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022742111.3 申請日 -
公開（公告）號 CN213484830U 公開（公告）日 2021-06-18
申請公布號 CN213484830U 申請公布日 2021-06-18
分類號 H03H3/02（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 高安明;姜偉;劉偉 申請（專利權(quán)）人 浙江信唐智芯科技有限公司
代理機構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 李佳俊;郭國中
地址 325038 浙江省溫州市浙南科技城創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)新天地一期1號樓506室（自主申報）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種內(nèi)嵌反射層的高功率容量體聲波諧振器，包括：叉指電極系統(tǒng)、薄膜；所述叉指電極系統(tǒng)包括：正電極、負電極；所述薄膜采用鈮酸鋰薄膜；當(dāng)鈮酸鋰薄膜的表面的叉指電極系統(tǒng)分別被加載正電極和負電極時，交互的相鄰電極之間產(chǎn)生的水平電場將在鈮酸鋰薄膜中激勵起剪切波諧振；該剪切波諧振為此諧振器的主諧振模，且諧振波長大約是鈮酸鋰薄膜厚度的兩倍。本實用新型通過采用采用叉指電極在鈮酸鋰薄膜上激發(fā)剪切波諧振，使得該諧振器的諧振頻率主要與薄膜厚度有關(guān)，從而可以很容易地實現(xiàn)高頻率諧振，解決了一般聲波諧振器很難產(chǎn)生高頻諧振的問題。