硅基壓電薄膜體聲波諧振器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022742166.4 申請日 -
公開（公告）號 CN213879775U 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN213879775U 申請公布日 2021-08-03
分類號 H03H3/007（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I;H03H3/04（2006.01）I;H03H9/02（2006.01）I;H03H9/17（2006.01）I;H03H9/19（2006.01）I;H01L41/08（2006.01）I;H01L41/22（2013.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 高安明;姜偉;劉偉 申請（專利權(quán)）人 浙江信唐智芯科技有限公司
代理機構(gòu) 上海段和段律師事務(wù)所 代理人 李佳俊;郭國中
地址 325038 浙江省溫州市浙南科技城創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)新天地一期1號樓506室（自主申報）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種硅基壓電薄膜體聲波諧振器，包括：電極、氮化鋁壓電薄膜層（3）以及絕緣體上硅（SOI）；所述電極包括：頂電極（1）；所述氮化鋁壓電薄膜層（3）以及絕緣體上硅（SOI）設(shè)置于頂電極（1）的下方；所述絕緣體上硅包括：單晶硅頂層（4）、絕緣二氧化硅中間層（5）、硅襯底層；所述硅襯底層的厚度大于設(shè)定閾值；所述絕緣二氧化硅中間層（5）的厚度小于設(shè)定閾值；所述單晶硅頂層（4）的厚度大于絕緣二氧化硅中間層（5）；所述單晶硅頂層（4）的厚度小于硅襯底層；本專利所提出的硅基壓電薄膜結(jié)構(gòu)結(jié)合了上述兩類諧振器的優(yōu)點，從而方便設(shè)計出同時具有高Q值和低動生阻抗的諧振器。