一種準(zhǔn)芯片功率放大器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711485748.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109995338A 公開(kāi)（公告）日 2019-07-09
申請(qǐng)公布號(hào) CN109995338A 申請(qǐng)公布日 2019-07-09
分類號(hào) H03F3/21 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 趙士勇;鄧攀;羅孝均;朱世貴;胡強(qiáng);李松林;侯堃 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都華光瑞芯微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都泰合道知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 成都華光瑞芯微電子股份有限公司
地址 610000 四川省成都市高新區(qū)天虹路5號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及電子通信領(lǐng)域，具體涉及一種級(jí)聯(lián)型準(zhǔn)芯片功率放大器，其提供一種準(zhǔn)芯片功率放大器，包括輸入匹配電路與柵極偏置電路的組合模塊、放大器管芯以及輸出匹配電路與漏極偏置電路的組合模塊，輸入匹配電路與柵極偏置電路的組合模塊連接到所述放大器管芯的柵極，所述放大器管芯的漏極連接到輸出匹配電路與漏極偏置電路的組合模塊；所述放大器管芯用于對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大；所述偏置電路用于對(duì)射頻信號(hào)進(jìn)行扼流并為放大器管芯提供柵極電壓。一方面采用砷化鎵材料在節(jié)約成本的同時(shí)，有利于放大器小型化。另一方面采用氮化鎵材料制作有源功率放大器管芯，滿足功率放大器對(duì)材料的高頻、大功率和高熱導(dǎo)率要求。