一種有源偏置集成電路寬帶低噪聲放大器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021132193.3 申請日 -
公開(公告)號 CN212231409U 公開(公告)日 2020-12-25
申請公布號 CN212231409U 申請公布日 2020-12-25
分類號 H03F1/26(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李懷明;朱世貴 申請(專利權(quán))人 成都華光瑞芯微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都正華專利代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 成都華光瑞芯微電子股份有限公司
地址 611731四川省成都市高新西區(qū)天虹路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種有源偏置集成電路寬帶低噪聲放大器,該放大器包括PHEMT放大管芯、源極匹配電路、有源偏置電路、輸入匹配電路、輸出匹配電路和負(fù)反饋電路,PHEMT放大管芯FET1、源極匹配電路和有源偏置電路集成在GaAs芯片上,輸入匹配電路、輸出匹配電路和負(fù)反饋電路由分立器件構(gòu)成。本實用新型既可以很好地解決在高低溫下放大管參數(shù)波動的問題,同時片上有源偏置結(jié)構(gòu)體積遠(yuǎn)小于混合集成的BJT晶體管,更有利于減小體積、提高產(chǎn)品一致性、降低成本;本實用新型的放大器具有批量一致性好、體積小、成本低廉、靈活度高、噪聲低、工作頻段寬以及易于集成使用的優(yōu)點,進(jìn)而使得其在組件和微系統(tǒng)中應(yīng)用更為靈活,使用更為方便。??