一種磁控濺射鍍膜裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201220744804.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN203021643U 公開(kāi)（公告）日 2013-06-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN203021643U 申請(qǐng)公布日 2013-06-26
分類號(hào) C23C14/35(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張俊峰;魏慶瑄 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 馬鞍山子創(chuàng)功能性膜工藝研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海百一領(lǐng)御專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海子創(chuàng)鍍膜技術(shù)有限公司;馬鞍山子創(chuàng)功能性膜工藝研究院有限公司
地址 200000 上海市金山區(qū)金山工業(yè)區(qū)月工路888號(hào)3幢21區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及到一種磁控鍍膜濺射裝置，尤其涉及到一種基片臺(tái)可自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)的磁控濺射鍍膜裝置，其包括機(jī)架臺(tái)（9）、設(shè)置在機(jī)架臺(tái)（9）頂端的下蓋（7），通過(guò)下法蘭設(shè)置在下蓋（7）上的磁控腔室（8）、通過(guò)上法蘭設(shè)置在磁控腔室（8）上端中心位置的基片臺(tái)（3）、通過(guò)法蘭設(shè)置在下蓋（7）中心位置上的磁控靶裝置（1），其特征在于，所述基片臺(tái)（3）連接有第一電機(jī)（16）和第二電機(jī)（17），所述第一電機(jī)（16）控制基片臺(tái)（3）自傳，所述第二電機(jī)（17）控制基片臺(tái)（3）公轉(zhuǎn)，可控制基片的自轉(zhuǎn)和公轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)單個(gè)和多元的鍍膜效果，提高了鍍膜效率。