一種鍍膜用陰極磁棒裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220745127.2 申請日 -
公開（公告）號 CN203021644U 公開（公告）日 2013-06-26
申請公布號 CN203021644U 申請公布日 2013-06-26
分類號 C23C14/35(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張俊峰 申請（專利權(quán)）人 馬鞍山子創(chuàng)功能性膜工藝研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海百一領(lǐng)御專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海子創(chuàng)鍍膜技術(shù)有限公司;馬鞍山子創(chuàng)功能性膜工藝研究院有限公司
地址 200000 上海市金山區(qū)金山工業(yè)區(qū)月工路888號3幢21區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及到一種磁控鍍膜裝置，尤其涉及到一種磁控濺射鍍膜陰極磁棒裝置，更涉及到一種防水、磁極均勻分布的磁控濺射鍍膜陰極磁棒裝置，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是包括磁芯軸裝置、以及設(shè)置在磁芯軸裝置圓周上的磁鋼座裝置、設(shè)置在磁鋼座裝置上的磁鋼裝置，連接磁芯軸裝置和磁鋼座裝置的抱箍裝置，以及設(shè)置在磁鋼座裝置兩側(cè)的托輥裝置，其中，所述磁鋼裝置包含中磁鋼裝置，側(cè)中磁鋼裝置，端磁鋼裝置，所述中磁鋼裝置與側(cè)中磁鋼裝置的排布夾角最佳為50°，所述中磁鋼裝置與端磁鋼裝置的排布夾角最佳為50°，本實(shí)用新型提高了鍍膜陰極靶的濺射速率，沉積速率和靶材利用率。