一種新型氮氧化物傳感器芯片加熱單元絕緣裝置
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021288153.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN212964736U | 公開（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申請公布號 | CN212964736U | 申請公布日 | 2021-04-13 |
| 分類號 | G01N27/26(2006.01)I;H01B17/60(2006.01)I | 分類 | 測量；測試; |
| 發(fā)明人 | 謝光遠;尹亮亮;邱電榮;張宇明;王曉寧 | 申請（專利權(quán)）人 | 徐州芯源誠達傳感科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京哌智科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 宗兵 |
| 地址 | 221100 江蘇省徐州市徐州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)珠江東路11號辦公大樓606室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型公開了一種新型氮氧化物傳感器芯片加熱單元絕緣裝置，包括加熱單元和信號單元，加熱單元的下端設(shè)置有信號單元，流延片的上端設(shè)置有第一基片，流延片的下端設(shè)置有第二基片，第一基片通過流延片與第二基片相連接，在加熱單元和信號單元的基片片層之間加上一層流延片的整體絕緣層，這樣可以起到和過孔絕緣相同的絕緣效果，而工藝操作簡單，整個芯片的尺寸可以做短，不需要延長芯片長度通過降低引腳端的溫度在度以下而阻斷氧化鋯的離子導(dǎo)電效應(yīng)漏電，這樣芯片結(jié)構(gòu)做短從而減少裝配應(yīng)力，提高了裝配成品率，散熱內(nèi)腔中填充散熱片，散熱片為一種硅膠材料制成的構(gòu)件，防止芯片和材料過熱，增強芯片的散熱性。?? |
