一種堆疊晶圓的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011632856.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112382629A | 公開(公告)日 | 2021-02-19 |
申請公布號 | CN112382629A | 申請公布日 | 2021-02-19 |
分類號 | H01L25/18(2006.01)I; | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳海杰;王金峰;陳棟;陳錦輝;謝皆雷 | 申請(專利權(quán))人 | 江陰長電先進封裝有限公司 |
代理機構(gòu) | 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 | 代理人 | 趙華 |
地址 | 214433江蘇省無錫市江陰市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)園區(qū)(澄江東路99號) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種堆疊晶圓結(jié)構(gòu)及其封裝方法,屬于半導(dǎo)體芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域。其包括晶圓堆疊體C2、承載晶圓A1、電氣連接層(150),所述晶圓堆疊體C2設(shè)置于承載晶圓A1上方并通過電氣連接層(150)連接,所述晶圓堆疊體C1包括若干層功能晶圓,從下而上,所述晶圓尺寸逐漸減小,其四周形成階梯狀的側(cè)壁,于承載晶圓A1上方,所述晶圓堆疊體C2的正面及其階梯狀的側(cè)壁涂覆介電層Ⅲ(300)并形成介電層Ⅲ開口(301),所述介電層Ⅲ開口(301)上內(nèi)設(shè)置金屬種子層(310)和金屬凸塊(360),所述金屬凸塊(360)與相鄰的晶圓的金屬互聯(lián)層(120)通過金屬種子層(310)連接。本發(fā)明提供了多層堆疊晶圓結(jié)構(gòu)及其制作方法。?? |
