復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010032466.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101769888B 公開（公告）日 2012-09-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN101769888B 申請(qǐng)公布日 2012-09-05
分類號(hào) G01N27/12(2006.01)I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 施云波;趙文杰;周真;修德斌;馮僑華;何夢(mèng)資 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 哈爾濱源創(chuàng)微納科技開發(fā)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 哈爾濱理工大學(xué);哈爾濱源創(chuàng)微納科技開發(fā)有限公司
地址 150002 黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)學(xué)府路52號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 復(fù)合納米半導(dǎo)體Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制備方法，它涉及一種Cl2敏感材料的合成方法。本發(fā)明解決了現(xiàn)有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2傳感器普遍存在著功耗高，體積大，只能進(jìn)行低濃度檢測(cè)的問題。方法：一、原料混合得到共沉積混合物；二、離心、抽濾、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5納米粉體；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本發(fā)明得到復(fù)合納米半導(dǎo)體材料In2O3/Nb2O5/Pt對(duì)Cl2敏感性好，使用本發(fā)明制備的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2傳感器能檢測(cè)Cl2的量程為0～500ppm，且功耗低，體積小。