復合納米半導體Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010032466.1 申請日 -
公開（公告）號 CN101769888A 公開（公告）日 2010-07-07
申請公布號 CN101769888A 申請公布日 2010-07-07
分類號 G01N27/12(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 施云波;趙文杰;周真;修德斌;馮僑華 申請（專利權）人 哈爾濱源創(chuàng)微納科技開發(fā)有限公司
代理機構 哈爾濱市松花江專利商標事務所 代理人 哈爾濱理工大學;哈爾濱源創(chuàng)微納科技開發(fā)有限公司
地址 150002黑龍江省哈爾濱市南崗區(qū)學府路52號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 復合納米半導體Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制備方法，它涉及一種Cl2敏感材料的合成方法。本發(fā)明解決了現(xiàn)有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2傳感器普遍存在著功耗高，體積大，只能進行低濃度檢測的問題。方法：一、原料混合得到共沉積混合物；二、離心、抽濾、干燥；三、制作In2O3/Nb2O5納米粉體；四、制作Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt。本發(fā)明得到復合納米半導體材料In2O3/Nb2O5/Pt對Cl2敏感性好，使用本發(fā)明制備的Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的Cl2傳感器能檢測Cl2的量程為0～500ppm，且功耗低，體積小。