一種高結(jié)晶性二硫化錸圓形納米晶的一步法制備技術(shù)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810112402.9 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN110117031A 公開（公告）日 2019-08-13
申請公布號(hào) CN110117031A 申請公布日 2019-08-13
分類號(hào) C01G47/00;B82Y30/00;B82Y40/00 分類 無機(jī)化學(xué);
發(fā)明人 李學(xué)銘;唐利斌;周亮亮;潘峰;楊艷波;錢福麗;魯朝宇;梁晶 申請（專利權(quán)）人 昆明北理工產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 650500 云南省昆明市呈貢區(qū)雨花片區(qū)1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高結(jié)晶二硫化錸圓形納米晶的一步法制備技術(shù)，其特征為通過一步法制備出分散性好、尺寸小、結(jié)晶度高、兼具熒光特性的ReS2圓形納米晶。針對當(dāng)前新型二維材料二硫化錸納米晶的研究較少，且工藝設(shè)備要求較高，操作流程較繁瑣等現(xiàn)狀，本發(fā)明采用一步法制得ReS2圓形納米晶，該產(chǎn)物在紫外?可見光譜中有288nm和376nm的吸收峰，根據(jù)吸收值表明其帶隙可調(diào)；高分辨透射電鏡圖顯示其晶格間距為0.273nm，平均粒徑為2.7nm，表明ReS2圓形納米晶的一步法制備技術(shù)高效、可行，同時(shí)圖像也表明一步法制備的ReS2圓形納米晶具有高結(jié)晶度。