一種分散性好并具有高熒光強度的二硫化鉭納米晶的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810112385.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110117029A 公開（公告）日 2019-08-13
申請公布號 CN110117029A 申請公布日 2019-08-13
分類號 C01G35/00;C09K11/67 分類 無機化學;
發(fā)明人 李學銘;唐利斌;周亮亮;潘峰;楊艷波;魯朝宇;梁晶 申請（專利權）人 昆明北理工產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 650500 云南省昆明市呈貢區(qū)雨花片區(qū)1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種分散性好且具有高熒光強度的二硫化鉭納米晶的制備方法，鑒于納米晶具有比表面效應、小尺寸效應、界面效應和宏觀量子效應等特性，可廣泛應用于電子器件、能量存儲、催化產(chǎn)氫等領域。近年來，TaS2納米晶作為一種新型過渡金屬硫族化合物納米材料，當TaS2的特征尺寸在三個維度上都與電子的德布羅意波長或電子平均自由程相比擬或更小時，電子在材料中的運動受到了三維限制，就會形成TaS2納米晶，在其表面就存在較多的電子陷阱，電子陷阱對半導體的光致發(fā)光特性起著關鍵的作用，因此具有比體材料更強的光電性能而成為一個研究熱點，就能顯示出了更強的熒光性、良好的分散性等特性，可望應用在場效應晶體管、傳感器等方面具有非常重要的價值和發(fā)展前景。