一種分散性好并具有高熒光強(qiáng)度的二硫化鉭納米晶的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810112385.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN110117029A | 公開(kāi)（公告）日 | 2019-08-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN110117029A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-08-13 |
| 分類(lèi)號(hào) | C01G35/00;C09K11/67 | 分類(lèi) | 無(wú)機(jī)化學(xué); |
| 發(fā)明人 | 李學(xué)銘;唐利斌;周亮亮;潘峰;楊艷波;魯朝宇;梁晶 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 昆明北理工產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 650500 云南省昆明市呈貢區(qū)雨花片區(qū)1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種分散性好且具有高熒光強(qiáng)度的二硫化鉭納米晶的制備方法，鑒于納米晶具有比表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)、界面效應(yīng)和宏觀(guān)量子效應(yīng)等特性，可廣泛應(yīng)用于電子器件、能量存儲(chǔ)、催化產(chǎn)氫等領(lǐng)域。近年來(lái)，TaS2納米晶作為一種新型過(guò)渡金屬硫族化合物納米材料，當(dāng)TaS2的特征尺寸在三個(gè)維度上都與電子的德布羅意波長(zhǎng)或電子平均自由程相比擬或更小時(shí)，電子在材料中的運(yùn)動(dòng)受到了三維限制，就會(huì)形成TaS2納米晶，在其表面就存在較多的電子陷阱，電子陷阱對(duì)半導(dǎo)體的光致發(fā)光特性起著關(guān)鍵的作用，因此具有比體材料更強(qiáng)的光電性能而成為一個(gè)研究熱點(diǎn)，就能顯示出了更強(qiáng)的熒光性、良好的分散性等特性，可望應(yīng)用在場(chǎng)效應(yīng)晶體管、傳感器等方面具有非常重要的價(jià)值和發(fā)展前景。 |
