一種高遷移率、高透光IGZO薄膜的制備方法及其應(yīng)用

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111452165.9 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN114134475A 公開(公告)日 2022-03-04
申請(qǐng)公布號(hào) CN114134475A 申請(qǐng)公布日 2022-03-04
分類號(hào) C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 羅派峰;孫甲;張兵;曾墩風(fēng);王志強(qiáng) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 蕪湖映日科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥云道爾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 代理人 陳蘭
地址 230000安徽省合肥市屯溪路193號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高遷移率、高透光IGZO薄膜的制備方法及其應(yīng)用,所述方法包括以下步驟:將高透玻璃依次放置在丙酮、乙醇、去離子水中超聲清洗各20min,將超聲清洗完成后的高透玻璃用氮?dú)獯蹈?,并放置?20℃恒溫加熱臺(tái)上加熱10min,蒸發(fā)玻璃表面的水分;將清潔后的高透玻璃放置到磁控濺射鍍膜設(shè)備中,并將IGZO靶材固定在鍍膜設(shè)備的陰極上,抽真空至9×10?5Pa,通入氧氣與氬氣混合氣體,打開濺射電源,預(yù)濺10min,打開擋板和自轉(zhuǎn)電機(jī),濺射沉積IGZO薄膜;將濺射完成的IGZO薄膜放置到管式爐中,退火過程中持續(xù)通過干燥空氣,退火溫度為150~250℃,退火時(shí)間為60min。本發(fā)明在降低薄膜制備成本的同時(shí),能夠有效提高薄膜的透過率和遷移率。