一種磁控濺射陰極裝置及磁控濺射裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611032173.7 申請日 -
公開（公告）號 CN106350777B 公開（公告）日 2019-01-15
申請公布號 CN106350777B 申請公布日 2019-01-15
分類號 C23C14/35 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 趙鑫;任明沖;張林;谷士斌;趙冠超;楊榮;李立偉;孟原;郭鐵 申請（專利權）人 新奧光伏能源有限公司
代理機構 北京同達信恒知識產權代理有限公司 代理人 黃志華
地址 065001 河北省廊坊市經濟技術開發(fā)區(qū)華祥路106號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種磁控濺射陰極裝置及磁控濺射裝置，包括：陰極背板，設置在陰極背板底面的底環(huán)結構，以及氣體管路；其中，底環(huán)結構環(huán)內限定的區(qū)域為靶材放置區(qū)域；底環(huán)結構包括：固定于陰極背板底面的上環(huán)，以及固定于上環(huán)背離陰極背板一側的底環(huán)；上環(huán)和底環(huán)之間形成有環(huán)狀中空結構，環(huán)狀中空結構面向靶材放置區(qū)域的一側設置有氣體通道；氣體管路貫穿陰極背板和上環(huán)后與環(huán)狀中空結構導通。由于氣體管路貫穿陰極背板和上環(huán)后與環(huán)狀中空結構導通，并且環(huán)狀中空結構面向靶材放置區(qū)域的一側設置有氣體通道，從而促使氣體能夠通入環(huán)狀中空結構內，并沿著氣體通道通向靶材，因此，有效縮短了氣體與靶材之間的距離，從而使得氣體更容易被電離。