一種MEMS器件的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023282814.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214422249U 公開（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN214422249U 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) B81B7/00（2006.01）I;B81B7/02（2006.01）I;B81C3/00（2006.01）I;B81C1/00（2006.01）I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 吉萍;李永智;呂軍;金科;賴芳奇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州科陽(yáng)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 胡彬
地址 215143江蘇省蘇州市蘇州相城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)漕湖產(chǎn)業(yè)園方橋路568號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種MEMS器件的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，屬于MEMS器件的封裝技術(shù)領(lǐng)域。所述MEMS器件的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，包括MEMS晶圓、ASIC芯片和轉(zhuǎn)接體，轉(zhuǎn)接體包括硅本體、第一金屬層、第一樹脂層、氧化硅層和第二金屬層，其中，第一金屬層設(shè)置在硅本體上；氧化硅層設(shè)置在硅本體和第一金屬層之間；第二金屬層設(shè)置在硅本體和氧化硅層的表面，第一金屬層與第二金屬層接觸連接，第二金屬層上設(shè)置有焊接凸點(diǎn)；第二金屬層與MEMS晶圓粘接，第一金屬層與ASIC芯片粘接，第一金屬層上還設(shè)置有焊錫。本實(shí)用新型的MEMS器件的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)體積小，生產(chǎn)成本低，生產(chǎn)效率高。