泡生法生長藍(lán)寶石單晶體中的升溫化料的方法及其應(yīng)用
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201210026217.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN102634845A | 公開(公告)日 | 2012-08-15 |
申請公布號 | CN102634845A | 申請公布日 | 2012-08-15 |
分類號 | C30B17/00(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 田野;陳翼;拾康;孫永超;談佳華 | 申請(專利權(quán))人 | 徐州協(xié)鑫光電科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 徐州協(xié)鑫光電科技有限公司 |
地址 | 221000 江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)楊山路88號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種泡生法生長藍(lán)寶石單晶體中的升溫化料的方法及其應(yīng)用。該升溫化料的方法包括如下步驟:氧化鋁餅塊料裝爐,使?fàn)t內(nèi)壓力達(dá)到1.5×10-2Pa;啟動加熱系統(tǒng),使溫度從0℃升到1650-1900℃,其中升溫斜率為70-150℃/h;當(dāng)溫度達(dá)到1650-1900℃時,修改升溫斜率為20-50℃/h,一直升溫到2100℃,保持2100℃至氧化鋁餅塊料完全融化。本發(fā)明的泡生法生長藍(lán)寶石單晶體中的升溫化料的方法,有效地解決藍(lán)寶石生長中形成的微氣泡缺陷,提高晶體質(zhì)量。 |
