一種大發(fā)光角度的Mini-LED芯片用襯底的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011068083.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112216771A | 公開（公告）日 | 2021-01-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112216771A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-01-12 |
| 分類號(hào) | H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 李志聰;王恩平;戴俊;王國(guó)宏;吳杰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 揚(yáng)州中科半導(dǎo)體照明有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 揚(yáng)州云洋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 高斯博 |
| 地址 | 225000江蘇省揚(yáng)州市臨江路186號(hào)1 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種大發(fā)光角度的Mini?LED芯片用襯底的制造方法，涉及光電子制造技術(shù)領(lǐng)域，包括步驟為：準(zhǔn)備已經(jīng)制作好發(fā)光外延層結(jié)構(gòu)及電極結(jié)構(gòu)的襯底；在襯底背面涂覆氯化物的飽和鹽溶液，并對(duì)襯底背面進(jìn)行烘烤直至水分完全蒸發(fā)形成微納米尺度的氯化物顆粒，且氯化物顆粒隨機(jī)分布于襯底背面表層；以氯化物顆粒組成的圖案作為掩膜，對(duì)襯底背面進(jìn)行等離子刻蝕，刻蝕結(jié)束后將襯底背面的氯化物顆粒清洗干凈，襯底背面形成微納米尺度且隨機(jī)分布的凹坑結(jié)構(gòu)。本發(fā)明對(duì)襯底本身進(jìn)行工藝處理，以有效提升Mini?LED的發(fā)光角度。?? |
