一種繞鍍多晶硅的清洗工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111407633.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114122195A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114122195A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周塘華;劉賢金;易輝;江慶;周祥;劉照;何興泉;周而立;諶業(yè)斌 申請（專利權(quán)）人 湖南紅太陽新能源科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 湖南兆弘專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 何文紅
地址 410205湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)桐梓坡西路586號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種繞鍍多晶硅的清洗工藝，包括以下步驟：獲取存在繞鍍多晶硅的硅片，采用氫氟酸溶液對硅片正面和邊緣進(jìn)行清洗，控制水膜流量為5mL/片～40mL/片，使得正面BSG層的減薄量為20nm～60nm，BSG層的保留厚度在40nm以上；在硅片正背面BSG層和PSG層的保護(hù)下去除硅片正面和邊緣繞鍍多晶硅，去除硅片正面BSG層和背面PSG層。本發(fā)明清洗工藝，既能夠有效解決因多晶硅繞鍍而導(dǎo)致的電池轉(zhuǎn)換效率和良品率低的問題，又能釋放LPCVD機(jī)臺產(chǎn)能，使用價(jià)值高，應(yīng)用前景好，對于降低TOPCon電池的生產(chǎn)成本，提升TOPCon電池的產(chǎn)能，提高TOPCon電池的轉(zhuǎn)換效率和良品率均具有重要意義。