一種繞鍍多晶硅的清洗工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111407633.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114122195A 公開（公告）日 2022-03-01
申請公布號 CN114122195A 申請公布日 2022-03-01
分類號 H01L31/18（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周塘華;劉賢金;易輝;江慶;周祥;劉照;何興泉;周而立;諶業(yè)斌 申請（專利權）人 湖南紅太陽新能源科技有限公司
代理機構 湖南兆弘專利事務所（普通合伙） 代理人 何文紅
地址 410205湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)桐梓坡西路586號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種繞鍍多晶硅的清洗工藝，包括以下步驟：獲取存在繞鍍多晶硅的硅片，采用氫氟酸溶液對硅片正面和邊緣進行清洗，控制水膜流量為5mL/片～40mL/片，使得正面BSG層的減薄量為20nm～60nm，BSG層的保留厚度在40nm以上；在硅片正背面BSG層和PSG層的保護下去除硅片正面和邊緣繞鍍多晶硅，去除硅片正面BSG層和背面PSG層。本發(fā)明清洗工藝，既能夠有效解決因多晶硅繞鍍而導致的電池轉換效率和良品率低的問題，又能釋放LPCVD機臺產能，使用價值高，應用前景好，對于降低TOPCon電池的生產成本，提升TOPCon電池的產能，提高TOPCon電池的轉換效率和良品率均具有重要意義。