探測傳感器及其制備方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201510443737.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN106373941B | 公開(公告)日 | 2019-05-31 |
申請公布號 | CN106373941B | 申請公布日 | 2019-05-31 |
分類號 | H01L23/528(2006.01)I; H01L31/09(2006.01)I; H01L31/18(2006.01)I; B81B7/02(2006.01)I; B81C1/00(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 楊天倫; 毛劍宏; 劉孟彬 | 申請(專利權(quán))人 | 上海麗恒光微電子科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 上海麗恒光微電子科技有限公司 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明揭示了一種探測傳感器,包括:半導(dǎo)體基底;隔離層,形成于所述半導(dǎo)體基底上;互連層,形成于所述隔離層上;第一插塞,形成于所述半導(dǎo)體基底上,并位于所述隔離層和互連層中,所述第一插塞與互連層形成電連接;導(dǎo)電墊片,形成于所述互連層上,并與所述互連層形成電連接;上層犧牲層,位于所述互連層上,并覆蓋所述第一插塞和導(dǎo)電墊片;第二插塞,形成于所述上層犧牲層中,所述第二插塞的底部與所述導(dǎo)電墊片電連接;以及感應(yīng)單元,形成于所述上層犧牲層上,所述感應(yīng)單元與所述第二插塞電連接。本發(fā)明還提供一種探測傳感器的制備方法。本發(fā)明的探測傳感器及其制備方法,可以有效地提高感應(yīng)單元的有效感應(yīng)面積。 |
