壓力傳感器的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610696305.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN107764439B 公開(kāi)(公告)日 2020-01-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN107764439B 申請(qǐng)公布日 2020-01-24
分類(lèi)號(hào) G01L1/14;B81C3/00 分類(lèi) 測(cè)量;測(cè)試;
發(fā)明人 劉孟彬;毛劍宏 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 上海麗恒光微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號(hào)5號(hào)樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種壓力傳感器的制備方法,包括:提供半導(dǎo)體基底,所述半導(dǎo)體基底的上表面形成有底部電極;在所述半導(dǎo)體基底的上形成一介電層,在所述介電層中形成第一開(kāi)口,所述第一開(kāi)口暴露出所述底部電極;在所述介電層上鍵合一晶圓,所述晶圓覆蓋所述第一開(kāi)口,并形成一空腔;減薄所述晶圓至一預(yù)定厚度;在減薄后的所述晶圓上形成一鈍化層;以及選擇性刻蝕所述鈍化層,以暴露出所述空腔上的部分所述晶圓。本發(fā)明的壓力傳感器的制備方法中,頂部電極以晶圓方式鍵合到所述半導(dǎo)體基底上,避免在所述半導(dǎo)體基底上淀積多晶硅,從而避免使用高溫。