壓力傳感器的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510771467.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN106706173B | 公開（公告）日 | 2021-04-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106706173B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-04-02 |
| 分類號(hào) | G01L1/14(2006.01)I;G01L1/20(2006.01)I | 分類 | 測(cè)量；測(cè)試; |
| 發(fā)明人 | 劉孟彬;毛劍宏;楊天倫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海麗恒光微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 李時(shí)云 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號(hào)5號(hào)樓501B室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明的壓力傳感器的制備方法，包括：提供半導(dǎo)體基板；在半導(dǎo)體基板表面形成壓力感應(yīng)層，壓力感應(yīng)層與半導(dǎo)體基板間形成空腔，空腔上的壓力感應(yīng)層中有第一開口；形成非晶碳層，非晶碳層覆蓋壓力感應(yīng)層，填充部分第一開口；形成第一介質(zhì)層，第一介質(zhì)層覆蓋非晶碳層，完全覆蓋第一開口；刻蝕第一介質(zhì)層，保留空腔邊緣上的第一介質(zhì)層；以第一介質(zhì)層為掩膜刻蝕非晶碳層；形成保護(hù)層，保護(hù)層覆蓋壓力感應(yīng)層和第一介質(zhì)層；刻蝕保護(hù)層，去除第一介質(zhì)層上的保護(hù)層，在保護(hù)層中形成第二開口，第二開口為壓力傳感器的壓力傳感區(qū)；去除第二開口中的非晶碳層和第一介質(zhì)層。本發(fā)明中，避免壓力感應(yīng)層受到刻蝕的損傷，防止雜質(zhì)進(jìn)入空腔，提高壓力傳感器性能。?? |
