快恢復(fù)二極管及制作該二極管的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210077697.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103311314B 公開（公告）日 2016-08-03
申請公布號 CN103311314B 申請公布日 2016-08-03
分類號 H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 賈會霞 申請（專利權(quán)）人 深圳市立德電控科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 518172 廣東省深圳市龍崗區(qū)清林西路深圳市留學(xué)人員(龍崗)創(chuàng)業(yè)園一園225
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種快恢復(fù)二極管，包括一N型高摻雜硅襯底、一第一N型摻雜半導(dǎo)體層、一第二N型摻雜半導(dǎo)體層、一二極管陽極層，所述第一N型摻雜半導(dǎo)體層位于第二N型摻雜半導(dǎo)體層和N型高摻雜硅襯底之間，所述第一N型摻雜半導(dǎo)體層的摻雜濃度低于第二N型摻雜半導(dǎo)體層的摻雜濃度，所述第一N型摻雜半導(dǎo)體層的寬度為5μm至50μm、摻雜濃度為5e12/cm3?5e14/cm3。上述快恢復(fù)二極管可在反向恢復(fù)時能夠提供足夠的載流子濃度，從而得以維持電流下降的軟度。本發(fā)明還提供了一種快恢復(fù)二極管的制作方法。