一種用于發(fā)光二極管襯底剝離的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110091809.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102738314B 公開（公告）日 2014-12-03
申請公布號 CN102738314B 申請公布日 2014-12-03
分類號 H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王明敏 申請（專利權(quán)）人 同方光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場A座29層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于發(fā)光二極管襯底剝離的裝置，涉及半導(dǎo)體發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的剝離結(jié)構(gòu)包括倒置的發(fā)光二極管和倒置的發(fā)光二極管下方的支撐襯底。所述發(fā)光二極管包括依次置于藍寶石襯底上方的緩沖層、N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和反射層。其結(jié)構(gòu)特點是，所述剝離結(jié)構(gòu)的外圍置有從支撐襯底下方至藍寶石襯底處的固體支撐，固體支撐和剝離結(jié)構(gòu)之間填充粘膠，粘膠的上端用所設(shè)金屬壓環(huán)密封。本發(fā)明能避免氮化鎵系垂直發(fā)光二極管在剝離時導(dǎo)致的過沖現(xiàn)象以及引入的較大顆粒污物引起的非正常掩蔽現(xiàn)象，提高產(chǎn)品的良率，適用于高頻率激光器的使用，提高生產(chǎn)效率。