一種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310023731.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103943749A 公開(kāi)（公告）日 2014-07-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN103943749A 申請(qǐng)公布日 2014-07-23
分類號(hào) H01L33/42(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王立彬;李寧寧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 同方光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場(chǎng)A座29層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種用于發(fā)光二極管的透明導(dǎo)電薄膜，涉及光電技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明透明導(dǎo)電薄膜置于發(fā)光二級(jí)管外延片的上表面。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述透明導(dǎo)電薄膜從下至上包括接觸層和主體層。接觸層的載流子濃度高于主體層的載流子濃度，接觸層的光吸收率高于主體層的光吸收率。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能在降低芯片正向電壓的同時(shí)有效提高芯片亮度。