一種倒裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210273949.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103579447B 公開（公告）日 2016-12-21
申請公布號 CN103579447B 申請公布日 2016-12-21
分類號 H01L33/48(2010.01)I;H01L33/60(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭兆禎;朱俊宜;郭德博;涂慶明 申請（專利權(quán)）人 同方光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場A座29層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種倒裝結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管及其制備方法，涉及光電技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明發(fā)光二極管包括從下至上依次疊加的金屬支撐襯底、P型半導(dǎo)體層、量子井發(fā)光層、N型半導(dǎo)體層和非摻雜層。其結(jié)構(gòu)特點是，所述金屬支撐襯底和P型半導(dǎo)體層之間還置有N型歐姆接觸金屬層、絕緣膜和反射金屬層。反射金屬層上方及周圍置有多層金屬并延伸至旁邊作為P型電極，金屬支撐襯底經(jīng)由N型歐姆接觸金屬層與N型半導(dǎo)體層連接為N型電極。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能有效避免發(fā)光二極管芯片側(cè)壁漏電，提高芯片的可靠性能，并保留原垂直式LED結(jié)構(gòu)的優(yōu)點，使其發(fā)揮最大的效能。