一種提高氮化物L(fēng)ED外延片發(fā)射波長均勻性的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310023732.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103943731A 公開（公告）日 2014-07-23
申請公布號 CN103943731A 申請公布日 2014-07-23
分類號 H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;梁信偉 申請（專利權(quán)）人 同方光電科技有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場A座29層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高氮化物L(fēng)ED外延片發(fā)射波長均勻性的生長方法，涉及半導(dǎo)體光電子領(lǐng)域。本發(fā)明的方法步驟為：①對外延片進行有源區(qū)薄膜生長時，先確定凹槽表面的等溫面空間分布及其彎曲度；②調(diào)整托盤的加熱溫度，使外延片表面的溫度與目標發(fā)射波長相匹配；同時，通過改變外延片的結(jié)構(gòu)參數(shù)和工藝條件來調(diào)整其彎曲度，使外延片彎曲度和凹槽表面等溫面的彎曲度相等。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明生長方法通過控制外延片晶體生長時的彎曲度，有效提高氮化物L(fēng)ED或LD外延片發(fā)射波長均勻性。