一種能提高LED光效的芯片加工方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201310023352.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN103943744A | 公開（公告）日 | 2014-07-23 |
| 申請公布號 | CN103943744A | 申請公布日 | 2014-07-23 |
| 分類號 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 賴鴻章 | 申請（專利權(quán)）人 | 同方光電科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場A座29層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種能提高LED光效的芯片加工方法，涉及光電技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明芯片加工方法步驟為：①在器件上表面進行激光劃片至襯底與外延片界面附近，形成溝槽；②采用高溫酸液對溝槽進行腐蝕，獲得期望的形貌；③采用隱形切割工藝在器件內(nèi)部正對溝槽的位置形成內(nèi)劃痕；④以內(nèi)劃痕的位置進行裂片，分為各獨立的發(fā)光二級管芯片。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明方法同時采用高溫側(cè)壁腐蝕工藝與隱形切割工藝，能更大程度的提高LED芯片的亮度。 |
