一種適用于大電流驅(qū)動(dòng)的氮化物L(fēng)ED外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210508820.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103855262A 公開（公告）日 2014-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN103855262A 申請(qǐng)公布日 2014-06-11
分類號(hào) H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;梁信偉 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 同方光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場(chǎng)A座29層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種適用于大電流驅(qū)動(dòng)的氮化物L(fēng)ED外延結(jié)構(gòu)，涉及LED光電子器件的制造技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明結(jié)構(gòu)從襯底開始自下而上依次包括：n型化合物半導(dǎo)體、有源區(qū)和p型化合物半導(dǎo)體三部分。其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是，所述有源區(qū)是由m個(gè)量子阱和m+1個(gè)量子壘交替堆疊而成，其中，m為任意自然數(shù)，量子壘的最大禁帶寬度大于相鄰量子阱的最大禁帶寬度，不同量子壘的最大禁帶寬度或膜層厚度呈現(xiàn)漸變方式分布。同現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明能減小或者消除氮化物L(fēng)ED在大電流驅(qū)動(dòng)條件下的“能效降低”問(wèn)題，提高器件的量子效率。