一種垂直結構發(fā)光二極管的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110074979.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102709427B 公開（公告）日 2014-12-03
申請公布號 CN102709427B 申請公布日 2014-12-03
分類號 H01L33/36(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀濤;郭德博;張華東;劉剛 申請（專利權）人 同方光電科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華同方科技廣場A座29層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種垂直結構發(fā)光二極管的制備方法，涉及光電技術領域。本發(fā)明步驟為：在藍寶石基板上依次生長N型半導體層、量子阱有源區(qū)和P型半導體層；在P型半導體層上蒸鍍反射金屬層；刻蝕形成隔離溝槽；填充光刻膠；在器件表面沉積擴散阻擋層，再電鍍種子層，形成襯底并退火；將藍寶石基板剝離；在N型半導體層表面進行表面粗化；刻蝕出器件分離或切割的跑道；沉積多層介質(zhì)膜，形成絕緣保護層；刻蝕出電極槽，并分別在N型半導體層上蒸鍍兩個N型電極和在襯底上蒸鍍一個第三電極；將器件從底面減薄至光刻膠的底平面位置；對器件從隔離溝槽中心進行切割，分離形成單個器件。本發(fā)明在芯片的N面形成了一個新的第三電極作為測試電極，實現(xiàn)了對垂直芯片的大規(guī)模、高效率測試，測量數(shù)據(jù)準確。